作者：瑞田达 文章来源：本站原创 点击数： 更新时间：2013-12-25 9:32:13

IGBT的工作原理 一般IGBT是由许多IGBT单元并联而成，由于IGBT双极性的电导调制效应，当IGBT打开时，di/dt大。若只有部分IGBT单元开通，则大电流集中在开通的IGBT单元中，电流密度骤增

IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后，从 P 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 时，也具有低的通态电压。若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压;

——IGBT集电极与发射极之间的电压;

——流过IGBT集电极－发射极的电流;

——IGBT的结温。

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

一般IGBT是由许多IGBT单元并联而成，由于IGBT双极性的电导调制效应，当IGBT打开时，di/dt大。若只有部分IGBT单元开通，则大电流集中在开通的IGBT单元中，电流密度骤增，称之为“束流效应”采用调制技术，变压器隔离，内置自给电源，占空比0-100％，工作频率0-100KHz，最大驱动400A/1700V的IGBT模块。