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主要技术参数 作者：瑞田达 文章来源：本站原创 点击数： 更新时间：2014-1-3 10:36:11
IGBT为逆变器最核心、价格最高的零部件之一，由于核心技术在国外，IGBT技术及产品不断更新换代，但是在国内还不具备大批量的生产IGBT的能力。新型IGBT逆变技术是推动我国低碳经济发展战略的突破口，同时缓解能源，资源和环境等方面的压力
IGBT的主要特点有两个：驱动功率小而饱和压降低，它的三个极分别是：源极(S)、漏极(D)和栅极(G)
IGBT结构图 N+ 区称为源区，P+ 区称为漏区，IGBT 的驱动方法和MOSFET 大致上是一样的。用于商业上IGBT器件的电压和电流容量还远远没有达到电力电子应用技术发展需求，特别是在高压领域，现在包括英飞凌在内多家公司已经开始生产研发大功率的IGBT。东芝晶体管系列产品种类丰富.为您提供各种IGBT产品!
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