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标准IGBT模块
高压IGBT模块
DIPCIB
TM
IPM智能功率模块
DIPIPM
TM
MOSFET模块
高压IGBT模块产品型号
（点击某型号，可以查看该产品的pdf资料）
一单元
两单元
斩波结构
性能特点
：
>
基板：有Cu和AlSiC两种，额定电压：从1700V到6500V，额定电流：从200A到2400A，绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms ；
>
H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认；
>
N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积；
>
N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容；
>
R系列：封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125℃ 扩大到-50~ 150℃；最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。；
>
续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能。
应用领域
：牵引和大功率变频传动 电力传输 DC斩波器装置
电 压
底板\结构
一单元HA
两单元DY
斩波结构
1700V
G1(Cu底板)
CM800HA-34H
CM1200HA-34H
CM600DY-34H
CM600E2Y-34H
G3
(AlSiC底板)
CM1200HC-34H
CM1600HC-34H
CM1800HC-34H
CM2400HC-34H
CM800DZ-34H
G4（Cu底板）
CM800DZB-34N
CM1200DB-34N
G4
(AlSiC底板)
CM1200HCB-34N
CM1800HC-34N
CM2400HC-34N
CM1800HCB-34N
CM2400HCB-34N
CM1200DC-34N
CM1200E4C-34N
2500V
G1(Cu底板)
CM800HA-50H
CM1200HA-50H
CM400DY-50H
G2(Cu底板)
CM800HB-50H
CM1200HB-50H
G3(AlSiC底板)
CM1200HC-50H
3300V
G1(Cu底板)
CM800HA-66H
CM1200HA-66H
CM400DY-66H
CM800E2Z-66H
G2(Cu底板)
CM800HB-66H
CM1200HB-66H
G3(AlSiC底板)
CM800HC-66H
CM1200HC-66H
CM1500HC-66R
CM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM1000E4C-66R
CM800E6C-66H
G4(AlSiC底板)
CM400HG-66H
CM800HG-66H
CM1200HG-66H
4500V
G2(Cu底板)
CM400HB-90H
CM600HB-90H
CM900HB-90H
G3(AlSiC底板)
CM900HC-90H
G4(AlSiC底板)
CM600HG-90H CM900HG-90H
CM1200HG-90R
6500V
G4(AlSiC底板)
CM200HG-130H
CM400HG-130H
CM600HG-130H
CM400E2G-130H CM400E4G-130H
CM750HG-130R
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可控硅
