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电 话:010-82893676
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手 机:13341025080
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传 真:010-82895621
邮 编:100085
邮 箱:
cdd@bjrtd.com
地址:海淀区上地信息路1号国际科技创业园1号楼301
长沙办事处:
手机:15200904688
标准IGBT模块
高压IGBT模块
DIPCIB
TM
IPM智能功率模块
DIPIPM
TM
MOSFET模块
MOSFET模块产品型号
(点击某型号,可以查看该产品的pdf资料)
性能特点
:
>
超低损耗:采用沟槽型MOSFET硅片,具有低通态压降;
>
方便安装:栅极、源极信号接线端子采用标准接插件;
>
电路拓扑:全桥逆变,可灵活使用实现大容量化、斩波电路等;
>
高可靠性:内置NTC温度传感器,所有产品均满足RoHS标准
>
单只管芯电流等级:100A/200A/300A,电压等级:75V/100V/150V
应用领域
:电动叉车等低压变频领域。
型 号 列 表
电 路 拓 扑
电 压
型 号
六单元
75V
FM200TU-07A
FM400TU-07A
FM600TU-07A
100V
FM200TU-2A
FM400TU-2A
FM600TU-2A
150V
FM200TU-3A
FM400TU-3A
FM600TU-3A
邮箱:cdd@bjrtd.com 在线QQ交谈:913981851 54485717 1062662049
地址:海淀区上地信息路1号国际科技创业园1号楼301
京ICP备05079211号
可控硅